Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощные кремниевые модули в гибридном исполнении на биполярных транзисторах с изолированным затвором, со встроенными антипаралельными БВД 2М410А,Б,Б1,В,В1,Г

Вернуться к списку продукции


5-выводный, 10-выводный металлокерамический корпус

Применение:

электропривод, преобразовательная техника, системы электроснабжения, вторичные источники питания

Описание:

мощные кремниевые модули в гибридном исполнении на биполярных транзисторах с изолированным затвором и встроенными антипаралельными БВД типа: 2М410А, 2М410Б, 2М410В, 2М410Г, выполненные по одноключевой схеме (параллельный ключ) и 2М410Б1, 2М410В1, выполненные по двухключевой схеме (полумост) в металлокерамических корпусах с изолированным фланцем

pdfСкачать в формате PDF, (211 кБ)

чертеж

Рисунок 1. Схема электрическая принципиальная модулей 2М410А, 2М410Б, 2М410В, 2М410Г.
1 - Затвор VT1
2 - Эмиттер VT1
3 - Эмиттер VT1
4 - Эмиттер VT1, контрольный
5 - Коллектор VT1
Примечание: электрические параметры обеспечиваются при внешнем соединении выводов 2 и 3.

чертеж

Рисунок 2. Схема электрическая принципиальная модулей 2М410Б1, 2М410В1.
1 - Затвор VT1
2 - Эмиттер VT1, коллектор VT2
3 - Эмиттер VT1, коллектор VT2
4 - Эмиттер VT1, контрольный
5 - Эмиттер VT2, контрольный
6 - Затвор VT2
7 - Эмиттер VT2
8 - Эмиттер VT2
9 - Коллектор VT1
10 - Коллектор VT1
Примечание: электрические параметры обеспечиваются при внешнем соединении выводов 2 и 3, 7 и 8, 9 и 10 попарно.


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Бук-
венное обозначение

Норма

При-
меча-ние
2М410А 2М410Б,
2М410Б1*
2М410В,
2М410В1*
2М410Г
не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более
Максимально допустимое напряжение
коллектор-эмиттер, В
UКЭ.макс 1 700 - 1 700 - 1 200 - 1 200 - 1
Максимально допустимое напряжение
коллектор-затвор, В
UКЗ.макс 1 700 - 1 700 - 1 200 - 1 200 - 1
Максимально допустимое напряжение
затвор-эмиттер, В
UЗЭ.макс ±20 - ±20 - ±20 - ±20 - 1
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IК.макс 100 - 50 - 100 - 50 - 1
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, А IПР.макс 100 - 50 - 100 - 50 - 1
Максимально допустимый импульсный ток коллек-тора, А IК. Имакс 200 - 100 - 200 - 100 - 1
Максимально- допустимый импульсный прямой ток диода, А IПР. Имакс 200 - 100 - 200 - 100 - 1
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая
мощность модуля при температуре корпуса от минус 60 до 25 °С, Вт
РКмакс 500 - 350 - 500
350*
-
-
350 - 2
Максимально допустимая
температура перехода, °С
ТПмакс - 150 - 150 - 150 - 150

* Параметры приводятся для каждого ключа.

П р и м е ч а н и я:
1. В диапазоне температур корпуса от минус 60 до 125 °С.
2. При температуре корпуса свыше 25 до 125°С рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле:

формула

где Rт п-к тепловое сопротивление переход-корпус, равное для:
группы А, В — 0,25 °С/Вт;
группы Б, Б1, В1, Г — 0,36 °С/Вт.

Основные электрические параметры

Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Бук-
венное обозна-чение
Норма Темпе-ратура
(среды) корпуса, ºС
2М410А 2М410Б,
2М410Б1*
2М410В,
2М410В1*
2М410Г
не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектор- эмиттер, мА IКЭК
UКЭ = 1 700 В,
UЗЭ = 0 В
- 4 - 2 25

- 10 - 8 -60

- 10 - 8 125
UКЭ = 1 200 В,
UЗЭ = 0 В
- 2 - 1,5 25

- 8 - 6 -60

- 8 - 6 125

Ток утечки затвора, нА UКЭ =0 В,
UЗЭ = ±20 В
IЗ.ут - 500 - 500 - 500 - 500 25

Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
UКЭнас
IКЭ = 100 А, UЗЭ = 15 В - 3,5 - 2,8 25

- 5 - 4,5 -60

- 5 - 4,5 125
IКЭ = 50 А, UЗЭ = 15 В - 3,5 - 2,8 25

- 5 - 4,5 -60

- 5 - 4,5 125
Пороговое напряжение затвор-эмиттер, В UЗЭ.пор
UКЭ = 1 700 В, IК = 4 мА 2,5 6,5 25
UКЭ = 1 700 В, IК = 2 мА 2,5 6,5
UКЭ = 1 200 В, IК = 4 мА 2,5 6,5
UКЭ = 1 200 В, IК = 2 мА 2,5 6,5
Постоянное прямое напряжение диода, В UПР
IПР = 100 А - 3,3 - 2,5 25

- 5,0 - 4,2 -60

- 3,3 - 2,5 125
IПР = 50 А - 3,3 - 2,5 25

- 5,0 - 4,2 -60

- 3,3 - 2,5 125
Входная емкость, нФ
UКЭ = 25 В, UЗЭ = 0 В,
f = 1 МГц
СВХ11Э) - 10 - 6 - 10; - 6 25
Выходная емкость, нФ СВЫХ22Э)
UКЭ = 25 В, UЗЭ = 0 В,
f = 1 МГц
- 0,9 - 0,5 - 0,9; - 0,5 25

0,5*
Тепловое сопротивле-ние переход-корпус, ºС/Вт RТ. П-К - 0,25 - 0,36 - 0,25 - 0,36 25
* Параметры приводятся для каждого ключа.

Временные характеристики

Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Бук-
венное обозна-чение
Норма Темпе-ратура
(среды) корпуса, ºС
2М410А 2М410Б,
2М410Б1*
2М410В,
2М410В1*
2М410Г
не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более
Время включения, нс
UЗЭ = ±15 В, LН = 0,25 мГн, UКЭ = 900 В
tвкл - 400 - 400 - 400 - 400 25
Время выклю-чения, нс UЗЭ = ±15 В, LН = 0,25 мГн, UКЭ = 900 В tвыкл - 800 - 800 - 800 - 800 25
Время обратного восстановле-ния диода, нс
UЗЭ = ±15 В, LН = 0,25 мГн, UКЭ = 900 В
tвос.обр - 800 - 800 - 800 - 800 25
* Параметры приводятся для каждого ключа.
чертеж

Рисунок 3. Габаритный чертеж ЯАВД.432325.015ГЧ модулей 2М410А, 2М410Б, 2М410В, 2М410Г

чертеж

Рисунок 4. Габаритный чертеж ЯАВД.432325.017ГЧ модулей 2М410Б1, 2М410В1


Наверх

Вернуться к списку продукции