Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный переключательный транзистор КТ8144А,Б

Вернуться к списку продукции


КТ-9

Применение:

вторичные импульсные источники питания.

Описание:

кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные переключательные транзисторы в металлостеклянном корпусе КТ-9.

pdfСкачать в формате PDF, (116 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Наименование параметра,
единица измерения
Букв.
обознач.
Норма
А Б
Максимально допустимое
постоянное напряжение
коллектор-база, В
Uкб max 800 600
Максимально допустимый
постоянный ток коллектора, А
Iк max 25 25
Максимально допустимый
импульсный ток коллектора, А
Iк и max 40 40
Максимально допустимый постоянный ток базы, А Iб мах 6 6
Максимально допустимый импульсный ток базы, А Iб и мах 12 12
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность коллектора
(tкорп. = — 60 - 25 ºС), Вт
Рк max 175 175
Максимально допустимая
температура перехода, ºC
Тпер мах 150 150

Основные электрические параметры при T = 25 ºC

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
А Б
не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектора, mA
(Uкб = 800 В)
(Uкб = 600 В)
Iкбо 1 1
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(Ik = 16 А; Iб = 3,2 А)
Uкэ нас 1,5 1,5
Напряжение насыщения
база-эмиттер, В
(Iк = 16 А; Iб = 3,2 А)
Uбэ нас 2,5 2,5
Граничное напряжение, В
(Ik = 100 mA; Iб = 0)
Uкэо гр 450 400
Тепловое сопротивление
переход-корпус
Rt п-к 1,0 1,0

Временные характеристики

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
А Б
не менее не более не менее не более
Время включения, мкс
(Uкэ = 300 В, Iк = 16 А, Iб1 =
-Iб2 = 3,2 А)
tвкл 1,0 1,0
Время рассасывания, мкс
(Uкэ = 300 В, Iк = 16 А,
Iб1 = -Iб2 = 3,2 А)
tрас 2,5 2,5
Время спада, мкс
(Uкэ = 300 В, Iк = 16 А,
Iб1 = -Iб2 = 3,2 А)
tсп 0,5 0,5
чертеж

Рисунок 1 - Габаритный чертеж


Наверх

Вернуться к списку продукции