Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный переключательный транзистор КТ8146А,Б

Вернуться к списку продукции


КТ-9

Применение:

вторичные импульсные источники питания.

Описание:

кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные переключательные транзисторы в металлостеклянном корпусе КТ-9.

pdfСкачать в формате PDF, (115 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Наименование параметра,
единица измерения
Букв.
обознач.
А Б
Норма Норма
Максимально допустимое
постоянное напряжение
коллектор-база, В
Uкб max 800 600
Максимально допустимый
постоянный ток коллектора, А
Iк max 15 15
Максимально допустимый
импульсный ток коллектора, А
Iк и max 25 25
Максимально допустимый постоянный ток базы, А Iб мах 4 4
Максимально допустимый импульсный ток базы, А Iб и мах 10 10
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность коллектора
(tкорп. = — 45 - 85 ºС), Вт
Рк max 150 150
Максимально допустимая
температура перехода, ºC
Тпер мах 200 200

Основные электрические параметры при T = 25 ºC

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
А Б
Не менее Не более Не менее Не более
Обратный ток коллектора, mA
(Uкб = 800 В)
(Uкб = 600 В)
Iкбо 1,0 1,0
Обратный ток эмиттера, mA
(Uэб = 8 В)
Iэбо 1,0 1,0
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(Ik = 10 А; Iб = 2,0 А)
Uкэ нас 1,5 1,5
Напряжение насыщения
база-эмиттер, В
(Ik = 10 А; Iб = 2,0 А)
Uбэ нас 2,5 2,5
Граничное напряжение, В
(Ik = 0,1 A; L = 25 МГн)
Uкэо гр 450 400

Временные характеристики

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
А Б
Не менее Не более Не менее Не более
Время включения, мкс
(Uк = 300 В, Iк = 10 А, Iб1 = -Iб2 = 2,0 А)
tвкл 1,0 1,0
Время рассасывания, мкс
(Uк = 300 В, Iк = 10 А, Iб1 = -Iб2 = 2,0 А)
tрас 2,5 2,5
Время спада, мкс
(Uк = 300 В, Iк = 10 А, Iб1 = -Iб2 = 2,0 А)
tсп 0,5 0,5
чертеж

Рисунок 1 - Габаритный чертеж


Наверх

Вернуться к списку продукции