Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный переключательный транзистор КТ8155А,Б,В,Г

Вернуться к списку продукции


КТ-9М

Применение:

вторичные импульсные источники питания.

Описание:

кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные переключательные транзисторы в металлокерамическом корпусе.

pdfСкачать в формате PDF, (117 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Наименование параметра,
единица измерения
Букв.
обознач.
Норма
А Б В Г
Максимально допустимое
постоянное напряжение
коллектор-база, В
Uкб max 600 500 600 500
Максимально допустимый
постоянный ток коллектора, А
Iк max 50 50 25 25
Максимально допустимый
импульсный ток коллектора, А
Iк и max 80 80 40 40
Максимально допустимый постоянный ток базы, А Iб мах 16 16 6 6
Максимально допустимый импульсный ток базы, А Iб и мах 25 25 12 12
Максимально допустимое
постоянное напряжение
эмиттер-база, В
Uэб max 8 8 8 8
Максимально допустимое
постоянное напряжение
коллектор-эмиттер, В
Uкэ max 450 400 450 400
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность коллектора
(tкорп. = — 60 - 25 ºС), Вт
Рк max 250 250 175 175
Максимально допустимая
температура перехода, ºC
Тпер мах 150 150 150 150

Основные электрические параметры при T = 25 ºC

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обозн
А Б В Г Темпе-ратура корпуса,
ºС
не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектора, мA
(Uкб = 600 В)
(Uкб = 500 В)
Iкбо 2,0
8,0
2,0
8,0
2,0
8,0
2,0
8,0
25
125
25
125
Обратный ток эмиттера, мA
(Uэб = 8 В)
Iэбо 5,0 5,0 5,0 5,0 25
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(Iк = 30 А; Iб = 5 А)
(Iк = 16 А; Iб = 3,2 А)
Uкэ нас 1,5
2,5
2
1,5
2,5
2
1,5
2,5
2,0
1,5
2,5
2,0
25
-60*
125
25
-60
125
Напряж. насыщения
база-эмиттер, В
(Iк = 30 А; Iб = 5 А)
(Iк = 16 А; Iб = 3,2 А)
Uбэ нас 2,5 2,5 2,5 2,5 25
25
Граничное напр., В
(Iк = 0,1 A; L = 25 мГн)
Uкэо гр 450 400 450 400 25
Тепловое сопротивление переход-корпус, ºС/Вт Rт п-к 0,5 0,5 0,71 0,71

* Температура окр. среды


Временные характеристики

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обозн
А Б В Г Темпе-ратура корпуса,
ºС
не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более
Время включения, мкс
(Uкэ = 300 В; Iк = 30 А, Iб1 = 5 А)
(Uкэ = 300 В; Iк = 16 А, Iб1 = 3,2 А)
tвкл 1,0 1,0 1,0 1,0 25
25
Время рассасывания, мкс
(Uк э = 300 В; Iк = 30 А;
Iб1 = -Iб2 = 5 А)
(Uк э = 300 В; Iк = 16 А;
Iб1 = -Iб2 = 3,2 А)
tрас 2,5 2,5 2,5 2,5 25
25
Время спада, мкс
(Uк = 300 В; Iк = 30 A; Iб1 = -Iб2 = 5 А)
(Uк э = 300 В; Iк = 16 А;
Iб1 = -Iб2 = 3,2 А)
tсп 0,5 0,5 0,5 0,5 25
25
чертеж

Рисунок 1 - Габаритный чертеж


Наверх

Вернуться к списку продукции