Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный переключательный транзистор КТ8157А,Б,В

Вернуться к списку продукции


КТ-9

Применение:

TV-приемники и мониторы с диагональю экрана > 61 см, частотой преобразования 64 кГц.

Описание:

кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные переключательные транзисторы в металлостеклянном корпусе КТ-9.

pdfСкачать в формате PDF, (126 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Наименование параметра,
единица измерения
Букв.
обознач.
Норма
А Б В
Максимально допустимое
постоянное напряжение
коллектор-база, В
Uкб max 1 500 1 000 1 500
Максимально допустимый
постоянный ток коллектора, А
Iк max 15 15 15
Максимально допустимый
импульсный ток коллектора, А
Iк и max 25 25 25
Максимально допустимое
постоянное напряжение
эмиттер-база, В
Uэб max 6 6 6
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность коллектора
(tкорп. = — 60 - 25 ºС), Вт
Рк max 150 150 150
Максимально допустимая
температура перехода, ºC
Тпер max 150 150 150

Основные электрические параметры при T = 25 ºC

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
А Б В
не менее не более не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектора, mA
(Uкб = 1 500 В)
Iкбо 3 3 3
Обратный ток эмиттера, mA
(Uэб = 4 В)
Iэбо 5 5 5
Статический коэффициент
передачи тока
(Uкэ = 5 В; Iк = 1 A)
h21Э 8 8 8
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(Ik = 8 А; Iб = 2 А)
Uкэ нас 1,5 1,5 3,0
Напряжение насыщения
база-эмиттер, В
(Iк = 8 А; Iб = 2 А)
Uбэ нас 1,5 1,5 1,5
Граничное напряжение, В
(Ik = 100 mA; Iб = 0)
Uкэо гр 800 800 800

Временные характеристики

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
А Б В
не менее не более не менее не более не менее не более
Время рассасывания, мкс
(Iк = 6 А; Iб1 = 1,2 A,
Iб2 = −2,4 A, Uк = 300 В)
tрас 3 3 3
Время спада, мкс
(Iк = 6 A; Iб1 = 1,2 A;
Iб2 = −2,4 A; Uк = 300 В)
tсп 0,2 0,2 0,2
чертеж

Рисунок 1 - Габаритный чертеж


Наверх

Вернуться к списку продукции