Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный переключательный транзистор КТ8190А,Б,В,Г

Вернуться к списку продукции


КТ-9М

Применение:

вторичные источники питания, низковольтные источники питания для бортовой аппаратуры, аппаратов бесперебойного питания.

Описание:

кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные переключательные транзисторы в металлостеклянном корпусе КТ-9М.

pdfСкачать в формате PDF, (193 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Наименование параметра,
единица измерения
Букв.
обозн
Норма
КТ8190А КТ8190Б КТ8190В КТ8190Г
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В Uкб max 160 250 300 400
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В Uкэmax 120 180 240 300
Максимально-допустимое постоянное напряжение эмиттер-база,В Uбэ max 6 6 6 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А Iк max 100 100 100 100
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А Iк и max 150 150 150 150
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт Рк max 200 200 200 200
Максимально допустимая температура перехода, ºC Тпер max 150 150 150 150

Основные электрические параметры при T = 25 ºC

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обозн
КТ8190А КТ8190Б КТ8190В КТ8190Г Темпе-
ратура корпуса,
ºС
не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектора, мA
(Uкб = 160 В)
(Uкб = 250 В) (Uкб = 300 В)
(Uкб = 400 В)
(Uкб = 160 В)
(Uкб = 250 В) (Uкб = 300 В)
(Uкб = 400 В)
Iкбо 3
5
3
5
3
5
3
5
25
25
25
25
125
125
125
125
Обратный ток эмиттера, мA (Uэб = 6 В) Iэбо 5 5 5 5 25
Статический коэффициент передачи тока (Uкэ = 5 В; Iк = 50 A) h21Э 15
5
15
5
15
5
10
5
25
-60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (Ik = 50 А; Iб = 5 А) Uкэ нас 1,5
2,0
1,5
2,0
1,5
2,0
1,5
2,0
25
125
Напряжение насыщения база-эмиттер, В (Iк = 50 А; Iб = 5 А) Uбэ нас 2,0 2,0 2,0 2,0 25
Граничное напряжение, В (Ik = 0,1 A; L = 25 мГн) Uкэо гр 120 180 240 300 25

Временные характеристики

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обозн
КТ8190А КТ8190Б КТ8190В КТ8190Г Темпе-
ратура корпуса,
ºС
не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более
Время рассасывания
(Iк = 50 А, Uк = 50 В, Iб1 = -Iб2 = 5 А) ,мкс
tрас 2,5 2,5 2,5 2,5 25
Время спада
(Iк = 50 А, Uк = 50 В, Iб1 = -Iб2 = 5 А) ,мкс
tсп 0,3 0,3 0,3 0,3 25
чертеж

Рисунок 1 - Габаритный чертеж


Наверх

Вернуться к списку продукции