Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный биполярный высоковольтный транзистор КТ8192А,Б,В,Г

Вернуться к списку продукции


ISOTOP, Прототип корпуса TOSHIBA

Применение:

электропривод, преобразовательные устройства.

Описание:

кремниевые меза-планарные N-P-N мощные биполярные высоковольтные транзисторы в металлопластмассовом корпусе.

pdfСкачать в формате PDF, (311 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Наименование параметра,
единица измерения
Букв.
обознач.
Норма
КТ8192А КТ8192Б КТ8192В КТ8192Г
Максимально допустимое
постоянное напряжение
коллектор-база, В
Uкб max 1 500 1 300 1 000 1 000
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В Uэб max 7 7 7 7
Максимально допустимый
постоянный ток коллектора, А
Iк max 30 50 75 30
Максимально допустимый
импульсный ток коллектора, А
Iк и max 50 75 100 50
Максимально допустимый постоянный ток базы, А Iб мах 15 25 35 15
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность коллектора
(tкорп. = 25 - + 85 ºС), Вт
Рк max 200 250 350 200
Максимально допустимая
температура перехода, ºC
Тпер мах 175 175 175 175

Основные электрические параметры при T = 25 ºC

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
КТ8192А КТ8192Б КТ8192В КТ8192Г
не ме-
нее
не бо-
лее
не ме-
нее
не бо-
лее
не ме-
нее
не бо-
лее
не ме-
нее
не бо-
лее
Обратный ток коллектора, mA
(Uкб = 1 500 В)
(Uкб = 1 300 В)
(Uкб = 1 000 В)
Iкбо 5 5 5 5
Обратный ток эмиттера, mA
(Uэб = 5 В)
Iэбо 50 50 50 50
Статический коэффициент передачи тока
(Uкэ = 10 В, Ik = 20 А)
(Uкэ = 10 В, Ik = 50 А)
(Uкэ = 10 В, Ik = 30 А)
(Uкэ = 10 В, Ik = 75 А)
(Uкэ = 10 В, Ik = 50 А)
(Uкэ = 10 В, Ik = 100 А)
h21э 10
5
10
5
10
5
10
5
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(Ik = 20 А; Iб = 4,0 А)
(Ik = 30 А; Iб = 6,0 А)
(Ik = 50 А; Iб = 10,0 А)
Uкэ нас 1,5 1,5 1,5 1,5
Напряжение насыщения
база-эмиттер, В
(Iк = 20 А; Iб = 4,0 А)
(Ik = 30 А; Iб = 6,0 А)
(Ik = 50 А; Iб = 10,0 А)
Uбэ нас 2,5 2,5 2,5 2,5
Граничное напряжение, В
(Ik = 0,1 A; L = 25 МГн)
Uкэо гр 700 700 700 700

Временные характеристики

Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обоз-нач.
КТ8192А КТ8192Б КТ8192В КТ8192Г
не ме-
нее
не бо-
лее
не ме-
нее
не бо-
лее
не ме-
нее
не бо-
лее
не ме-
нее
не бо-
лее
Время включения, мкс
(Uкэ = 300 В, Iк = 20 А, Iб1 = 4,0 А)
(Uкэ = 300 В, Iк = 30 А, Iб1 = 6,0 А)
(Uкэ = 300 В, Iк = 50 А, Iб1 =10,0 А)
tвкл 1,0 1,0 1,0 1,0
Время рассасывания, мкс
(Uкэ = 300 В, Iк = 20 А, Iб1 = -Iб2 = 4,0 А)
(Uкэ = 300 В, Iк = 30 А, Iб1 = -Iб2 = 6,0 А)
(Uкэ = 300 В, Iк = 50 А,Iб1 = -Iб2 = 10,0 А)
tрас 3,0 3,0 3,0 3,0
Время спада, мкс
(Uкэ = 300 В, Iк = 20 А,Iб1 = -Iб2 = 4,0 А)
(Uкэ = 300 В, Iк = 30 А,Iб1 = -Iб2 = 6,0 А)
(Uкэ = 300 В, Iк = 50 А,Iб1 = -Iб2 = 10,0 А)
tсп 0,4 0,4 0,4 0,4
чертеж

Рисунок 1 - Габаритный чертеж

чертеж

Рисунок 2 - Габаритный чертеж


Наверх

Вернуться к списку продукции