Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный переключательный транзистор /КТ8174А,Б

Вернуться к списку продукции


КТ-9М

Применение:

Мощные ключевые устройства

Описание:

Кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные переключательные транзисторы, выполненные по схеме Дарлингтон, в металлокерамическом корпусе  КТ-9М.

pdfСкачать в формате PDF, (117 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации


Наименование параметра,
единица измерения
Букв.
обознач.
Норма
КТ8174А КТ8174Б
Максимально-допустимое
постоянное напряжение
коллектор-эмиттер, В
(Rбэ = 10 Ом)
UКЭR мах 700 600
Максимально допустимое
постоянное напряжение
коллектор-эмиттер, В
UКЭ мах 500 400
Максимально- допустимое
постоянное напряжение
эмиттер-база, В
UЭБ мах 7 7
Максимально — допустимый
постоянный ток коллектора, А
IК мах 40 40
Максимально — допустимый
импульсный ток коллектора, А
Iки мах 63 63
Максимально — допустимый
постоянный ток базы, А
IБ мах 7 1
Максимально — допустимый
импульсный ток базы, А
IБИ мах 30 2
Максимально- допустимая
постоянная рассеиваемая
мощность коллектора, Вт
(Т корп =25 С, Uкэ=100В)
Рк мах 160 160
Максимально допустимая температура перехода, &grad;C Тпер мах 150 150

Основные электрические параметры


Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
2Т8174А КТ8174Б
не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(U кэо=500В)
(U кэо=400В)
IКЭО 10,0 2,0
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(U кэr=700В, Rэб = 10 Ом)
(U кэr=600В, Rэб = 10 Ом)
IКЭR 10,0 2,0
Обратный ток эмиттера, мА
(U эб =2 В)
IЭБО 300 300
Статический коэффициент
передачи тока
(Uкэ=10 В,Iк=25 А)
(Uкэ= 5 В,Iк=20 А)
h21э 50 100
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(Iк=25 А,Iб=1 А)
(Iк=20 А,Iб=0,4 А)
UКЭ нас 2,5 2,0
Напряжение насыщения
база-эмиттер, В
(Iк=25 А,Iб=1 А)
(Iк=20 А,Iб=0,4 А)
UБЭ нас 3,0 2,5
Граничное напряжение, В
(Iк=300мА, L=25мГн)
UКЭО гр 500 400
Прямое напряжение диода, В
(Iпр =25 А)
Uпр д 2,5 2,5

Временные характеристики


Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
КТ8174А КТ8174Б
не менее не более не менее не более
Время включения, мкс
(Uкэ=300В,Iк =25А, Iб1=1А),
(Uкэ=300В,Iк =20А, Iб1=0,4А)
tвкл 2,0 2,0
Время рассасывания, мкс
(Uкэ=300В,Iк =25А,
Iб1=1А, Iб2=-2,5А)
(Uкэ=300В,Iк =20А,
Iб1=0,4 А, Iб2=-0,8А)
tрас 10,0 10,0
Время спада, мкс
(Uкэ=300В,Iк =25А,
Iб1=1А, Iб2=-2,5А)
(Uкэ=300В,Iк =20А,
Iб1=0,4 А, Iб2=-0,8А)
tcп 4,0 2,5
чертеж

Рисунок 1 - Габаритный чертеж



Наверх

Вернуться к списку продукции