Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный переключательный транзистор 2Т8144А,А1,А2; Б,Б1,Б2; В,В1,В2

Вернуться к списку продукции


КТ-9, КТ-9М, КТ-9МИ

Применение:

преобразователи частоты систем энергосбережения ВВТ, импульсные модуляторы, вторичные источники питания.

Описание:

кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные переключательные транзисторы в металлостеклянном корпусе КТ-9, металлокерамических корпусах КТ-9М, КТ-9МИ (с изолированным фланцем).

pdfСкачать в формате PDF, (256 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Наименование параметра,
(режим измерения),
единица измерения
Буквен-
ное
обозначение
Норма Примечание
2Т8144А;
2Т8144А1;
2Т8144А2
2Т8144Б;
2Т8144Б1;
2Т8144Б2
2Т8144В;
2Т8144В1;
2Т8144В2
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В UКБмакс 800 600 1 000 1
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IКмакс 25 25 25 1
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А IКИмакс 40 40 40 1
Максимально допустимый ток базы, А IБмакс 6 6 6 1
Максимально допустимый импульсный ток базы, А IБИмакс 12 12 12 1
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора при температуре корпуса от минус 60 °С до 25 °С, Вт РКмакс 150 150 150 2
Максимально допустимая температура перехода, °С ТПмакс 150 150 150

Примечания:

1. В диапазоне температур корпуса от минус 60 °С до плюс 125 °С.
2. При температуре корпуса свыше 25 °С до плюс 125 °С рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле:

формула

где Rт п-к — установившееся тепловое сопротивление переход-корпус, равное 0,83 °С/Вт.


Основные электрические параметры

Наименование параметра,
(режим измерения),
единица измерения
Буквен-ное обозна-чение Норма Темпе-ратура
(среды)
корпу-са, °С
2Т8144А;
2Т8144А1;
2Т8144А2
2Т8144Б;
2Т8144Б1*;
2Т8144Б2*
2Т8144В;
2Т8144В1;
2Т8144В2
не менее не более не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектора IКБО
(UКБ = 800 В), мА 1 25

5 -60

5 125
(UКБ = 600 В), мА 1 25

5 -60

5 125
(UКБ = 1 000 В), мА 1 25

5 -60

5 125
Обратный ток эмиттера
(UЭБ = 5 В), мА
IЭБО 1 1 1 25
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
UКЭнас
(IК= 16А, IБ= 3,2 А), В 1,2 1,2 1,5 25

2,5 2,5 2,5 -60

1,5 1,5 2,0 125
Напряжение насыщения
база-эмиттер
UБЭнас
(IК= 16А, IБ= 3,2 А), В 2,5 2,5 2,5 25
Граничное напряжение
(IК = 0,1А, L = 25 мГн), В
UКЭОгр 450 400;
450*
450 25
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт RТ П-К 0,83 0,83 0,83 25
Энергия вторичного пробоя (L = 0,3мГн,
UБЭ = −5В, UКЭ = 300 В, IК = 25 А, IБ = 5А), мДж
ЕВП 93 93 93 25

Примечание: параметры с * относятся к группам транзисторов Б, Б1


чертеж

Рисунок 1. Габаритный чертеж транзисторов 2Т8144А, 2Т8144Б, 2Т8144В

чертеж

Рисунок 2. Габаритный чертеж транзисторов 2Т8144А1, 2Т8144Б1, 2Т8144В1

чертеж

Рисунок 3. Габаритный чертеж транзисторов 2Т8144А2, 2Т8144Б2, 2Т8144В2


Наверх

Вернуться к списку продукции