Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный переключательный транзистор 2Т8266А, Б

Вернуться к списку продукции


Применение:

Электропривод

Описание:

Мощные высоковольтные кремниевые n-p-n транзисторы, изготовленные по меза-планарной технологии, в металлокерамическом корпусе с изолированным коллектором.

Предельно допустимые режимы эксплуатации


Наименование параметра, (режим измерения),
единица измерения
Буквенное обозначение Норма Примечание
2Т8266А 2Т8266Б
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В UКБ mах 300 150 1
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В UКЭ mах 200 100 1
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В UЭБ0 mах 5 5 1
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IК max 300 300 1
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А IК,и max 400 400 1
Максимально допустимый ток базы, А IБ max 50 50 1
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт РК max 300 300 1, 2
Максимально допустимая температура перехода, °С Тп max 150 150  
Максимально допустимая температура корпуса, °С TК макс 125 125  

Примечания:

  1. В диапазоне температур корпуса от минус 60 °С до плюс 125 °С.
  2. 2 При температуре корпуса свыше 25 °С до плюс 125 °С рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле: PK=(Tп max - Tкорп)/(R т п-к), Вт
    где Rт п-к – установившееся тепловое сопротивление переход-корпус, равное 0,42 °С/Вт.

Основные электрические параметры


Наименование параметра, (режим измерения),
единица измерения
Буквен-ное обозна-чение Норма Температура (среды) корпуса, °С
2Т8266А 2Т8266Б
не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектора
(UКБ=300 В), мА
(UКБ=150 В), мА
IКБО   3,0
5,0
6,0
  3,0
5,0
6,0
25
-60
125

25
-60
125
Обратный ток эмиттера
(UЭБ =5 В), мА
IЭБО   25   25 25
Статический коэффициент передачи тока
(UКЭ=5В, IК=150А)
(UКЭ=5В, IК=300А)
h21Э 10
8

8
2
  10
8

8
2
  25
-60

125
25
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
(IК= 150А, IБ= 30 А), В
UКЭ нас   2,0
2,5
2,5
  2,0
2,5
2,5
25
-60
125
Напряжение насыщения
база-эмиттер
(IК= 150А, IБ= 30 А), В
UБЭ нас   3,0   3,0 25
Граничное напряжение
(IК=0,1А, L=25 МГн), В
UКЭОгр 200   100   25
Тепловое сопротивление переход-корпус, ºС/Вт RT п-к   0,42   0,42  

Временные характеристики


Наименование параметра, (режим измерения),
единица измерения
Буквен-ное обозна-чение Норма Темпе-ратура (среды) корпуса, °С
2Т8266А 2Т8266Б
не менее не более не менее не более
Время рассасывания
(Uкэ=50В, IК=150А,
IБ1= — IБ2 =30А), мкс
tрас   3.0   3,0 25
Время спада
(Uкэ=50В, IК=150А,
IБ1= — IБ2 =30А), мкс
tсп   1,0   1,0 25
чертеж

Рисунок 1 - Габаритный чертеж



Наверх

Вернуться к списку продукции