Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный переключательный транзистор 2Т8277А,Б

Вернуться к списку продукции


КТ-9М

Применение:

Мощные преобразовательные устройства, схемы частотно-управляемых электроприводов и вторичных источников питания, схемы строчной развертки телеприемников и мониторов.

Описание:

Кремниевый меза-планарный n-p-n мощный высоковольтный переключательный транзистор 2Т8277А,Б в металлокерамическом корпусе КТ-9М

pdfСкачать в формате PDF, (130 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации


Наименование параметра, (режим измерения),
единица измерения
Буквенное обозначение Норма Примечание
2Т8277А 2Т8277Б
Максимально допустимое
постоянное напряжение коллектора, В
UКБ mах 1500 1200 1
Максимально допустимое
постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В
UКЭ0 mах 700 700 1
Максимально допустимое
постоянное напряжение
эмиттер-база, В
UЭБ0 mах 10 10 1
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IК max 16 16 1
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А IК,и max 22 22 1
Максимально допустимый постоянный ток базы, А IБ max 9 9 1
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность коллектора при температуре корпуса от минус 60?С до 25?С,Вт
РК max 200 200 2
Максимально допустимая
температура перехода, °С
Тп max 150 150  

Примечания:

  1. В диапазоне температур корпуса от минус 60 °С до плюс 125 °С.
  2. 2 При температуре корпуса свыше 25 °С до плюс 125 °С рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле:
    PK max=(Tп max - Tкорп)/(R т п-к), Вт

    где Rт п-к – установившееся тепловое сопротивление переход-корпус, равное 0,63 °С/Вт.

Основные электрические параметры


Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
2Т8277А 2Т8277Б Температура
°С
не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектора, мA
(Uкбо = 1500 В)
(Uкбо = 1200 В)
Iкбо   3.0
5,0
6,0
  3,0
5,0
6,0
25
-60
125

25
-60
125
Обратный ток эмиттер-база
(Uбэ = −10 В), мА
Iэбо   20   20 25
Статический коэффициент
передачи тока
(Uкэ = 5В, Iк = 12А,)
h21э 7
5
5
  7
5
5
  25
-60
125
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(IК = 12 А; Iб = 3 А)
Uкэ нас   1,2
1,7
1,7
  1,2
1,7
1,7
25
-60
125
Напряжение насыщения
база-эмиттер, В
(Ik = 12 А; Iб = 3 А)
Uбэ нас   1,5   1,5 25
Граничное напряжение
(Iк = 0,1 А, L = 25 мГн), В
Uкэо гр 700   700   25
Тепловое сопротивление
переход-корпус, °С/Вт
RТ п-к   0,63   0,63  

Временные характеристики


Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
2Т8277А 2Т8277Б Температура
°С
не
менее
не
более
не
менее
не
более
Время рассасывания, мкс
(Iб1 = 2 А, Iб2= −6 А, Iк = 12А,
Uк=400 В), мкс
tрасс   3,0   3,0 25
Время спада, мкс
(Iб1 = 2 А, Iб2= −6 А, Iк = 12А,
Uк=400 В), мкс
tсп   0,2   0,2 25
чертеж

Рисунок 1 - Габаритный чертеж



Наверх

Вернуться к списку продукции