Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный переключательный транзистор 2Т8292А, Б, В

Вернуться к списку продукции


КТ-9М

Применение:

Преобразователи частоты системы энергоснабжения самолетов, переключающие схемы, импульсные модуляторы, вторичные источники питания.

Описание:

Мощные высоковольтные кремниевые n-p-n транзисторы типа 2Т8292А, 2Т8292Б, 2Т8292В, изготовленные по меза-планарной технологии, в металлокерамическом корпусе КТ-9М.

pdfСкачать в формате PDF, (130 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации


Наименование параметра,
(режим измерения),
единица измерения
Буквенное обозначение Норма Примечание
2Т8292А 2Т8292Б 2Т8292В
Максимально допустимое
напряжение коллектор-база, В
UКБОмакс 850 700 600 1
Максимально допустимое
напряжение коллектор-эмиттер, В
UКЭОмакс 450 450 400 1
Максимально допустимое
напряжение эмиттер-база, В
UЭБОмакс 7 7 7 1
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IКмакс 60 60 60 1
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А IКИмакс 90 90 90 1
Максимально допустимый постоянный ток базы, А IБмакс 15 15 15 1
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая
мощность коллектора при температуре корпуса от минус 60°С до 25°С, Вт
РКмакс 300 300 300 2
Максимально допустимая температура перехода, °С ТПмакс 150 150 150

Примечания:

  1. В диапазоне температур корпуса от минус 60 °С до плюс 125 °С.
  2. 2 При температуре корпуса свыше 25 °С до плюс 125 °С рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле: PK=(Tп max - Tкорп)/(R т п-к), Вт
    где Rт п-к – установившееся тепловое сопротивление переход-корпус, равное 0,417 °С/Вт.

Основные электрические параметры


Наименование параметра, (режим измерения),
единица измерения
Буквенное обозначение Норма Температура корпуса, °С
2Т8292А 2Т8292Б 2Т8292В
не менее не более не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектор-база
(UКБО=850 В), мА
(UКБО=700 В), мА
(UКБО=600 В), мА
IКБО 1
3
5
1
3
5
1
3
5
25
-60
125

25
-60
125

25
-60
125
Обратный ток эмиттер-база
(UЭБО =5 В), мА
IЭБО 5 5 5 25
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
(IК= 30 А, IБ= 6 А), В
UКЭнас 0,9
2,0
0,9
2,0
0,9
2,0
25
125
Напряжение насыщения
база-эмиттер
(IК= 30 А, IБ= 6 А), В
UБЭнас 1,5 1,5 1,5 25
Статический коэффициент передачи тока
(IК= 30 А, UКЭ= 5 В)
(IК= 60 А, UКЭ= 5 В)
h21Э 10
5

8
2
10
5

8
2
10
5

8
2
25
-60

125
25
Граничное напряжение
(IК=0,1А, L=25 мГн), В
UКЭОгр 450 450 400 25
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт RТ П-К 0,417 0,417 0,417 25
Энергия вторичного пробоя
(UЭБ= −5В, UКЭ=300В, IК=30А, IБ=6А, L=0,3мГн), мДж
ЕВП 135 135 135 25

Временные характеристики


Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач.
2Т8292А 2Т8292Б 2Т8292В Тем. среды (корпуса), ºС
не
менее
не
более
не
менее
не
более
не
менее
не
более
Время включения
(UКЭ=300В, IК=30А,
IБ = 6 А), мкс
tвкл 0,6 0,6 0,6 25
Время спада
(UКЭ=300В, IК=30А,
IБ1= — IБ2 = 6А), мкс
tcп 0,4 0,4 0,4 25
Время рассасывания
(UКЭ=300В, IК=30А,
IБ1= — IБ2 = 6А), мкс
tрас 2,5 2,5 2,5 25
чертеж

Рисунок 1 - Габаритный чертеж



Наверх

Вернуться к списку продукции