Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощные быстровосстанавливающиеся диоды, диодные сборки КД664А,АС,Б,БС,В,ВС

Вернуться к списку продукции


КТ-9М

Применение:

преобразователи напряжения, схемы частотно-управляемых электроприводов, импульсные источники питания мониторов и приемников высокой четкости.

Описание:

мощные силовые быстровосстанавливающиеся диоды КД664А, КД664Б и диодные сборки КД664АС, КД664БС, изготовленные по меза-планарной технологии, в металлокерамическом корпусе.

pdfСкачать в формате PDF, (115 кБ)

чертеж

Рисунок 1. Схема электрическая диодов КД664А, КД664Б.
1 - Анод
2 - Свободный
3 - Катод

чертеж

Рисунок 2. Схема электрическая диодных сборок КД664АС, КД664БС.
1 - Анод
2 - Анод
3 - Катод


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Наименование параметра,
(режим измерения),
единица измерения
Буквенное обозначение Норма
КД664А, КД664АС, КД664В, КД664ВСКД664Б, КД664БС (оба кристалла)
Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение, В UОБР.. И.. П 1 200 800
Максимально допустимое неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В UОБР.. И. НП 1 200 800
Максимально допустимый прямой повторяющийся импульсный ток, А (форма импульса — синусоидальная;
длительность импульса — 10 мкс;
частота повторения — 10 кГц)
IПР.. И.. П 400 400
Максимально допустимый средний прямой ток, А IПР. СР 45 45
Максимально допустимый действующий прямой ток, А IПР. Д 75 75
Максимально допустимый ударный прямой ток, А IПР. УД 180 180
Максимально допустимая температура перехода, °С TП макс 150 150

Основные электрические параметры

Наименование параметра,
(режим измерения),
единица измерения
Буквен-ное обозна-чение Норма Темпе-ратура (среды) корпуса, ºС
КД664А, КД664АС, КД664В, КД664ВС
КД664Б, КД664БС
не менее не более не менее не более
Импульсное прямое напряжение UПР. И
Гр. А, Б (IПР. И = 45 А), В 2,35 2,35 25

2,35 2,35 125

3,2 3,2 -60
Гр. АС, БС (IПР. И = 45 А), В 2,35 2,35 25
(оба кристалла) 2,35 2,35 125

3,2 3,2 -60
Импульсный обратный ток IОБР
Гр. А, АС (оба кристалла)
(UОБР. И = 1200 В), мА
0,5 25

3,0 125

1,5 -60
Гр. Б, БС (оба кристалла)
(UОБР. И = 800 В), мА
0,5 25

3,0 125

1,5 -60
Время обратного
восстановления
(IПР. И = 45 А, UСС = 300 В,
diF/dt = −1 000 А/мкс), нс
tвос.обр 140 140 25
Тепловое сопротивление переход-корпус, ºС/Вт RТ П-К 0,5 0,5
чертеж

Рисунок 3. Габаритный чертеж диодов КД664А, КД664Б, КД664В и диодных сборок КД664АС, КД664БС, КД664ВС


Наверх

Вернуться к списку продукции