Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Полевые МОП-транзисторы (MOSFET)

Применение:

высокочастотные преобразователи, импульсные источники питания, телекоммуникационное оборудование, оборудование для устройств связи.

МОП-транзисторы (MOSFET)

Условное обозначение изделия UСИ max,
В
UЗИ max,
В
ICmax,
А
IC(И) max,
А
IC нач..
мА,
при 25 ºС
UЗИ пор.,
В,
не более
RСИ отк..,
при 25ºС,
омега
не более
tсп.,
мкс
Рmax,
Вт
Тип
корпуса
Полное тех. описание
2П7154АС 1 200 ±25 50 100 1.0 4,0 0,35 0,07 875 Металло-
керамический
корпус с изолированным фланцем, с полосковыми выводами
скачать PDF
скачать PDF
2П7154БС 800 ±25 60 120 1,0 4,0 0,2 0,07 875 Металло-
керамический
корпус с изолированным фланцем, с полосковыми выводами
скачать PDF
скачать PDF
2П7154ВС 600 ±25 75 150 1,0 4,0 0,15 0,07 875 Металло-
керамический корпус с изолированным фланцем, с полосковыми выводами
скачать PDF
скачать PDF
2П829А1200±2510301,54,01,00,04200КТ-105-1скачать PDF
скачать PDF
2П829А91200±2510301,54,01,00,04200КТ-106-1скачать PDF
скачать PDF
2П829Б800±2515451,04,00,50,032200КТ-105-1скачать PDF
скачать PDF
2П829Б9800±2515451,04,00,50,032200КТ-106-1скачать PDF
скачать PDF
2П829В600±2520601,04,00,150,048200КТ-105-1скачать PDF
скачать PDF
2П829В9600±2520601,04,00,150,048200КТ-106-1скачать PDF
скачать PDF
2П829Г200±25401200,54,00,050,036125КТ-43А-1.01скачать PDF
скачать PDF
2П829Г9200±25401200,54,00,050,036125КТ-95-1скачать PDF
скачать PDF
2П829Д100±25501500,54,00,010,048125КТ-43А-1.01скачать PDF
скачать PDF
2П829Д9100±25501500,54,00,010,048125КТ-95-1скачать PDF
скачать PDF
2П829Е60±25601800,54,00,0050,072125КТ-43А-1.01скачать PDF
скачать PDF
2П829Е960±25601800,54,00,0050,072125КТ-95-1скачать PDF
скачать PDF
2П829Ж30±25802400,54,00,030,056125КТ-43А-1.01скачать PDF
скачать PDF
2П829Ж930±25802400,54,00,030,056125КТ-95-1скачать PDF
скачать PDF
2П829И9200±25401200,54,00,050,036125КТ-94-2скачать PDF
скачать PDF