Мощные высоковольтные полупроводниковые приборы

Мощный высоковольтный n-канальный полевой транзистор 2П7154АС,БС,ВС

Вернуться к списку продукции


Металлокерамический корпус с полосковыми безиндуктивными выводами, изолированным фланцем

Применение:

высокочастотные преобразователи, импульсные источники питания, телекоммуникационное оборудование, оборудование для устройств связи.

Описание:

мощные высоковольтные n-канальные ДМОП-транзисторы, состоящие из четырех кристаллов, соединенных параллельно, в металлокерамическом корпусе с изолированным фланцем.

pdfСкачать в формате PDF, (122 кБ)


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Наименование параметра,
(режим измерения),
единица измерения
Буквенное обозначе-ние Норма Приме-чание
2П7154АС 2П7154БС 2П7154ВС
Максимально допустимое напряжение сток-исток, В, не менее UСИ.макс 1 200 800 600 1
Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В, не менее UЗИ.макс ±25 ±25 ±25 2
Максимально допустимый импульсный ток стока (τи 300 мкс, Q  100), А, не менее IС(и)макс 100 120 150 3
Максимально допустимый постоянный ток стока, А, не менее IС.макс 50 60 75 3
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность стока Рмакс 875 750 850 4
Максимально допустимая
температура перехода, °С
ТПмакс 150 150 150

Примечания:
1. При температуре окружающей среды 25°С.
2. В диапазоне температур окружающей среды от минус 60 °С до плюс 125 °С.
3. При температуре корпуса свыше 25 °С до плюс 125 °С рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле:

где R т п-к тепловое сопротивление переход-корпус, равное 0,16 °С/Вт.

Основные электрические параметры

Наименование параметра, (режим измерения),
единица измерения
Буквен-ное обозна-чение Норма Темпе-ратура
(среды) корпуса, ºС

2П7154АС

2П7154БС

2П7154ВС

не менее не более не менее не более не менее не более
Начальный ток стока IС.нач
(UСИ = 1 200 В; UЗИ 1,0 25

5,0 -60

5,0 125
(UСИ = 800 В; UЗИ = 0В), мА 1,0 25

5,0 -60

5,0 125
(UСИ = 600 В; UЗИ = 0 В), мА 1,0 25

5,0 -60

5,0 125
Ток утечки затвора (UЗИ = ± 20 В; UСИ = 0 В), нА IЗ.ут ±150 ±150 ±150 25
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RСИ.отк
(UЗИ = 10 В; IС = 25 А), Ом 0,35 25

0,5 -60

0,5 125
(UЗИ = 10 В; IС = 25 А), Ом 0,2 25

0,3 -60

0,3 125
(UЗИ = 10 В; IС = 25 А), Ом 0,15 25

0,25 -60

0,25 125
Пороговое напряжение UЗИ.пор
(UЗ = UС; IС = 1 мА), В 2,0 4,0 2,0 4,0 2,0 4,0 25
Время задержки включения tзд.вкл
Тепловое сопротивление переход-корпус, ºС/Вт RТ П-К 0,16 0,16 0,16

Временные характеристики

Наименование параметра, (режим измерения),
единица измерения
Буквен-ное обозна-чение Норма Темпе-ратура
(среды) корпуса, ºС
2П7154АС 2П7154БС 2П7154ВС
(UЗ = UС; IС = 1 мА), В не менее не более не менее не более не менее не более
2,0 4,0 2,0 4,0 2,0 4,0 25
Время задержки включения tзд.вкл
(UСИ = 400 В; UЗИ = 10 В; IС = 25 А), нс 70 70 70 25
Время нарастания tнр
(UСИ = 400 В; UЗИ = 10 В; IС = 25 А), нс 90 90 90 25
Время задержки выключения tзд.выкл
(UСИ = 400 В; UЗИ = 10 В; IС = 25 А), нс 300 300 300 25
Время спада tсп
(UСИ = 400 В; UЗИ = 10 В; IС = 25 А), нс 70 70 70 25
чертеж

Рисунок 1. Габаритный чертеж транзисторов 2П7154АС, 2П7154БС, 2П7154ВС

чертеж

Рисунок 2. Схема электрическая транзисторов 2П7154АС, 2П7154БС, 2П7154ВС


Наверх

Вернуться к списку продукции