Корпус КТ-106-1

Мощный высоковольтный МДП транзистор в корпусе для поверхностного монтажа 2П829А9

Вернуться к списку продукции


Uси макс = 1200 В
Ic макс = 10 А
Rси отк = 0,9 Ом

Стойкость к воздействию спец. факторов- 2Ус

pdfСкачать в формате PDF, (201 кБ)

Максимальные параметры

Uси макс

Макс. напряжение сток-исток

1200

В

Uзи макс

Макс. напряжение затвор-исток

±25

В

Iс макс

Макс. ток стока

10

А

Iс и макс

Макс. импульсный ток стока

30

А

Pмакс

Макс. допуст. пост. мощность

200

Вт

Тпер макс

Макс. допуст. температура перех.

150

ºС

Траб корп

Рабочая температура корпуса

- 60 до 125

ºС


Электрические характеристики при Tпер = 25 ºС

Ic нач

Начальный ток стока



1,5

мА

Uси = 1200 В, Uзи = 0 В

Iз ут

Ток утечки затвора



100

нА

Uзи = ±20 В

Rси отк

Сопротивление сток-исток в откр. состоянии


0,9

1

Ом

Uзи = 15 В, Ic = 5 А

Uпор

Пороговое напряжение

2,0


4,0

В

Uзи = Uси = 10 В, Iс = 10 мА

S

Крутизна


11



Uси ≥ 15 В, Iс = 5 А



192


нКл

U си = 600 В, I c = 5A
U зи = 13 В

Qзи



48


нКл

Qзс



68


нКл

tз вкл



64


нс

U си = 600 В, I c = 5 А,
U зи = 10 В, R з = 2 Ом

tнар



12


нс

tз выкл



184


нс

tсп



40


нс

Вход. сопротив. затвора


1


Ом


Cвх

Входная емкость


7000


пФ

U си = 25В, U зи = 0 В
f = 1МГц

Cвых

Выходная емкость


500


пФ

Cпрох

Проходная емкость


100


пФ



Электрические параметры встроенного диода

Прям. ток диода


10


А


Uпр д

Прям. напряжение диода


0,8


В

Ic = 5 А

tобр вос



240


нс

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А

Qобр вос



0,138


мкКл

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А


Рисунок 1 – Зависимость заряда затвора Qз от напряжения затвора Uз для транзистора типа 2П829А9

Рисунок 4 - состоянии Rси.отк. от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829А9

Рисунок 2 – Зависимость тока стока IС от напряжения сток-исток UСИ транзисторов 2П829А9

Рисунок 5 - Зависимость нормализованного напряжения сток-исток Uси от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829А9

Рисунок 3 - Зависимость тока стока Iс от напряжения затвор-исток Uзи транзисторов 2П829А9

Рисунок 6 − Зависимости входной (С11), выходной (С22) и проходной (С12) емкостей от напряжения сток-исток при температуре корпуса (25±10) ºС транзисторов 2П829А9


Рисунок 7– Зависимость теплового сопротивления переход-корпус RТП-К от длительности импульса tИ и скважности импульса транзисторов 2П829А9

Габариты корпуса КТ-106-1

Обозначение выводов Назначение выводов
1 Сток
2 Исток
3 Затвор

Вернуться к списку продукции