Корпус КТ-105-1

Мощный высоковольтный МДП транзистор 2П829Б

Вернуться к списку продукции


Uси макс = 800 В
Ic макс = 15 А
Rси отк = 0,5 Ом

Стойкость к воздействию спец. факторов- 2Ус

pdfСкачать в формате PDF, (195 кБ)

Максимальные параметры

Обознач.

Наименование параметра

Значение

Ед. изм.

Uси макс

Макс. напряжение сток-исток

800

В

Uзи макс

Макс. напряжение затвор-исток

±25

В

Iс макс

Макс. ток стока

15

А

Iс и макс

Макс. импульсный ток стока

45

А

Pмакс

Макс. допуст. пост. мощность

200

Вт

Тпер макс

Макс. допуст. температура перех.

150

ºС

Траб корп

Рабочая температура корпуса

- 60 до 125

ºС


Электрические характеристики при Tпер = 25 ºС

Обозн.

Название параметры

Значение параметра

Един. измер.

Режим измерения

Не менее

Тип.

Не более

Ic нач

Начальный ток стока



1

мА

Uси = 800 Uзи = 0 В

Iз ут

Ток утечки затвора



100

нА

Uзи = ±20 В

Rси отк

Сопротивление сток-исток в откр. состоянии



0,5

Ом

Uзи = 15 В, Ic = 7,5 А

Uпор

Пороговое напряжение

2,0


4,0

В

Uзи = Uси = 10 В, Iс = 10 мА

S

Крутизна


15



Uси ≥ 15 В, Iс = 7,5 А



170


нКл

U си = 400 В, Ic = 7,5А
U зи = 13 В

Qзи



43


нКл

Qзс



65


нКл

tз вкл



56


нс

U си = 400 В, I c = 7,5 А,
U зи = 10 В, R з = 2 Ом

tнар



28


нс

tз выкл



168


нс

tсп



32


нс

Вход. сопротив. затвора


1,2


Ом


Cвх

Входная емкость


7000


пФ

U си = 25В, U зи = 0 В
f = 1МГц

Cвых

Выходная емкость


630


пФ

Cпрох

Проходная емкость


180


пФ



Электрические параметры встроенного диода

Обозн.

Название параметры

Значение параметра

Един. измер.

Режим измерения

Не менее

Тип.

Не более

Прям. ток диода


15


А


Uпр д

Прям. напряжение диода


0,8


В

Ic = 7,5 А

tобр вос



302


нс

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А

Qобр вос



0,14


мкКл

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А


Рисунок 1 - Зависимость заряда затвора Qз от напряжения затвора Uз для транзистора типа 2П829Б

Рисунок 4 - Зависимость нормализованного сопротивления сток-исток в открытом состоянии Rси.отк. от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829Б

Рисунок 2 - Зависимость тока стока IС от напряжения сток-исток UСИ транзисторов 2П829Б

Рисунок 5 - Зависимость нормализованного напряжения сток-исток Uси от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829Б

Рисунок 3 - Зависимость тока стока Iс от напряжения затвор-исток Uзи транзисторов 2П829Б

Рисунок 6 − Зависимости входной (С11), выходной (С22) и проходной (С12) емкостей от напряжения сток-исток при температуре корпуса (25±10) ºС транзисторов 2П829Б


Рисунок 7– Зависимость теплового сопротивления переход-корпус RТП-К от длительности импульса tИ и скважности импульса транзисторов 2П829Б

Габариты корпуса КТ-105-1

Обозначение выводов Назначение выводов
1 Сток
2 Исток
3 Затвор

Вернуться к списку продукции