Корпус КТ-95-1

Мощный высоковольтный МДП транзистор в корпусе для поверхностного монтажа 2П829Д9

Вернуться к списку продукции


Uси макс = 100 В
Ic макс = 50 А
Rси отк = 0,01 Ом

Стойкость к воздействию спец. факторов- 2Ус

pdfСкачать в формате PDF, (167 кБ)

Максимальные параметры

Обознач.

Наименование параметра

Значение

Ед. изм.

Uси макс

Макс. напряжение сток-исток

100

В

Uзи макс

Макс. напряжение затвор-исток

±25

В

Iс макс

Макс. ток стока

50

А

Iс и макс

Макс. импульсный ток стока

150

А

Pмакс

Макс. допуст. пост. мощность

125

Вт

Тпер макс

Макс. допуст. температура перехода

150

ºС

Траб корп

Рабочая температура корпуса

- 60 до 125

ºС


Электрические характеристики при Tпер = 25 ºС

Обозн.

Наименование параметра

Значение параметра

Един. измер.

Режим измерения

Не менее

Тип.

Не более

Ic нач

Начальный ток стока



0,5

мА

Uси = 100 Uзи = 0 В

Iз ут

Ток утечки затвора



100

нА

Uзи = ±20 В

Rси отк

Сопротивление сток-исток в откр. состоянии



0,01

Ом

Uзи = 15 В, Ic = 25 А

Uпор

Пороговое напряжение

2,0


4,0

В

Uзи = Uси = 10 В, Iс = 10 мА

S

Крутизна


27



Uси ≥ 15 В, Iс = 25А



215


нКл

U си = 50 В, Ic = 25А
U зи = 13 В

Qзи



54


нКл

Qзс



76


нКл

tз вкл



56


нс

U си = 50 В, I c = 25 А,
U зи = 10 В, R з = 2 Ом

tнар



68


нс

tз выкл



144


нс

tсп



48


нс

Вход. сопротив. затвора


1


Ом


Cвх

Входная емкость


11300


пФ

U си = 25В, U зи = 0 В
f = 1МГц

Cвых

Выходная емкость


2600


пФ

Cпрох

Проходная емкость


700


пФ



Электрические параметры встроенного диода

Обозн.

Название параметры

Значение параметра

Един. измер.

Режим измерения

Не менее

Тип.

Не более

I д.

Прям. ток диода


50


А


Uпр д.

Прям. напряжение диода


0,84


В

Ic = 25 А

tобр вос



260


нс

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А

Qобр вос



0,146


мкКл

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А


Рисунок 1 - Зависимость заряда затвора Qз от напряжения затвора Uз для транзистора типа 2П829Д9

Рисунок 4 - Зависимость нормализованного сопротивления сток-исток в открытом состоянии Rси.отк. от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829Д9

Рисунок 2 - Зависимость тока стока IС от напряжения сток-исток UСИ транзисторов 2П829Д9

Рисунок 5 - Зависимость нормализованного напряжения сток-исток Uси от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829Д9

Рисунок 3 - Зависимость тока стока Iс от напряжения затвор-исток Uзи транзисторов 2П829Д9

Рисунок 6 − Зависимости входной (С11), выходной (С22) и проходной (С12) емкостей от напряжения сток-исток при температуре корпуса (25±10) ºС транзисторов 2П829Д9


Рисунок 7– Зависимость теплового сопротивления переход-корпус RТП-К от длительности импульса tИ и скважности импульса транзисторов 2П829Д9

Габариты транзистора 2П829Д9 в Корпусе КТ-95-1

Обозначение выводов Назначение выводов
1 Сток
2 Исток
3 Затвор

Вернуться к списку продукции