Корпус КТ-95-1

Мощный высоковольтный МДП транзистор в корпусе для поверхностного монтажа 2П829Е9

Вернуться к списку продукции


Uси макс = 60 В
Ic макс = 60 А
Rси отк = 0,05 Ом

Стойкость к воздействию спец. факторов- 2Ус

pdfСкачать в формате PDF, (170 кБ)

Максимальные параметры

Обознач.

Наименование параметра

Значение

Ед. изм.

Uси макс

Макс. напряжение сток-исток

60

В

Uзи макс

Макс. напряжение затвор-исток

±25

В

Iс макс

Макс. ток стока

60

А

Iс и макс

Макс. импульсный ток стока

180

А

Pмакс

Макс. допуст. пост. мощность

125

Вт

Тпер макс

Макс. допуст. температура перех.

150

ºС

Траб корп

Рабочая температура корпуса

- 60 до 125

ºС


Электрические характеристики при Tпер = 25 ºС

Обозн.

Название параметры

Значение параметра

Един. измер.

Режим измерения

Не менее

Тип.

Не более

Ic нач

Начальный ток стока



0,5

мА

Uси = 60 Uзи = 0 В

Iз ут

Ток утечки затвора



100

нА

Uзи = ±20 В

Rси отк

Сопротивление сток-исток в откр. состоянии



0,005

Ом

Uзи = 15 В, Ic = 30А

Uпор

Пороговое напряжение

2,0


4,0

В

Uзи = Uси = 10 В, Iс = 10 мА

S

Крутизна


40



Uси ≥ 15 В, Iс = 30 А



193


нКл

U си = 30 В, Ic = 30А
U зи = 13 В

Qзи



48


нКл

Qзс



73


нКл

tз вкл



48


нс

U си = 30 В, I c = 30 А,
U зи = 10 В, R з = 2 Ом

tнар



540


нс

tз выкл



144


нс

tсп



72


нс

Вход. сопротив. затвора


1


Ом


Cвх

Входная емкость


11500


пФ

U си = 25В, U зи = 0 В
f = 1МГц

Cвых

Выходная емкость


3200


пФ

Cпрох

Проходная емкость


800


пФ



Электрические параметры встроенного диода

Обозн.

Название параметры

Значение параметра

Един. измер.

Режим измерения

Не менее

Тип.

Не более

Прям. ток диода


60


А


Uпр д

Прям. напряжение диода


0,85


В

Ic = 30 А

tобр вос



240


нс

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А

Qобр вос



0,115


мкКл

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А


Рисунок 1 - Зависимость заряда затвора Qз от напряжения затвора Uз для транзистора типа 2П829Е9

Рисунок 4 - Зависимость нормализованного сопротивления сток-исток в открытом состоянии Rси.отк. от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829Е9

Рисунок 2 - Зависимость тока стока IС от напряжения сток-исток UСИ транзисторов 2П829Е9

Рисунок 5 - Зависимость нормализованного напряжения сток-исток Uси от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829Е9

Рисунок 3 - Зависимость тока стока Iс от напряжения затвор-исток Uзи транзисторов 2П829Е9

Рисунок 6 − Зависимости входной (С11), выходной (С22) и проходной (С12) емкостей от напряжения сток-исток при температуре корпуса (25±10) ºС транзисторов 2П829Е9


Рисунок 7– Зависимость теплового сопротивления переход-корпус RТП-К от длительности импульса tИ и скважности импульса транзисторов 2П829Е9

Габариты транзистора 2П829Е9 в Корпусе КТ-95-1

Обозначение выводов Назначение выводов
1 Сток
2 Исток
3 Затвор

Вернуться к списку продукции