Корпус КТ-95-1

Мощный высоковольтный МДП транзистор в корпусе для поверхностного монтажа 2П829Г9

Вернуться к списку продукции


Uси макс = 200 В
Ic макс = 40 А
Rси отк = 0,05 Ом

Стойкость к воздействию спец. факторов- 2Ус

pdfСкачать в формате PDF, (160 кБ)

Максимальные параметры

Обознач.

Наименование параметра

Значение

Ед. изм.

Uси макс

Макс. напряжение сток-исток

200

В

Uзи макс

Макс. напряжение затвор-исток

±25

В

Iс макс

Макс. ток стока

40

А

Iс и макс

Макс. импульсный ток стока

120

А

Pмакс

Макс. допуст. пост. мощность

125

Вт

Тпер макс

Макс. допуст. температура перехода

150

ºС

Траб корп

Рабочая температура корпуса

- 60 до 125

ºС


Электрические характеристики при Tпер = 25 ºС

Обозн.

Название параметры

Значение параметра

Един. измер.

Режим измерения

Не менее

Тип.

Не более

Ic нач

Начальный ток стока



0,5

мА

Uси = 200 Uзи = 0 В

Iз ут

Ток утечки затвора



100

нА

Uзи = ±20 В

Rси отк

Сопротивление сток-исток в откр. состоянии



0,05

Ом

Uзи = 15 В, Ic = 20 А

Uпор

Пороговое напряжение

2,0


4,0

В

Uзи = Uси = 10 В, Iс = 10 мА

S

Крутизна


17



Uси ≥ 15 В, Iс = 20 А



246


нКл

U си = 100 В, Ic = 20А
U зи = 13 В

Qзи



75


нКл

Qзс



126


нКл

tз вкл



40


нс

U си = 100 В, I c = 20 А,
U зи = 10 В, R з = 2 Ом

tнар



40


нс

tз выкл



132


нс

tсп



36


нс

Вход. сопротив. затвора


1


Ом


Cвх

Входная емкость


11000


пФ

U си = 25В, U зи = 0 В
f = 1МГц

Cвых

Выходная емкость


1200


пФ

Cпрох

Проходная емкость


200


пФ



Электрические параметры встроенного диода

Обозн.

Название параметры

Значение параметра

Един. измер.

Режим измерения

Не менее

Тип.

Не более

Iд.

Прям. ток диода


40


А


Uпр д

Прям. напряжение диода


0,95


В

Ic = 20 А

tобр вос



249


нс

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А

Qобр вос



0,132


мкКл

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А


Рисунок 1 - Зависимость заряда затвора Qз от напряжения затвора Uз для транзистора типа 2П829Г9

Рисунок 4 - Зависимость нормализованного сопротивления сток-исток в открытом состоянии Rси.отк. от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829Г9

Рисунок 2 - Зависимость тока стока IС от напряжения сток-исток UСИ транзисторов 2П829Г9

Рисунок 5 - Зависимость нормализованного напряжения сток-исток Uси от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829Г9

Рисунок 3 - Зависимость тока стока Iс от напряжения затвор-исток Uзи транзисторов 2П829Г9

Рисунок 6 − Зависимости входной (С11), выходной (С22) и проходной (С12) емкостей от напряжения сток-исток при температуре корпуса (25±10) ºС транзисторов 2П829Г9


Рисунок 7– Зависимость теплового сопротивления переход-корпус RТП-К от длительности импульса tИ и скважности импульса транзисторов 2П829Г9

Габариты транзистора 2П829Г9 в Корпусе КТ-95-1

Обозначение выводов Назначение выводов
1 Сток
2 Исток
3 Затвор

Вернуться к списку продукции