Корпус КТ-94-2
Мощный высоковольтный МДП транзистор в корпусе для поверхностного монтажа 2П829И9
Uси макс = 200 В
Ic макс = 40 А
Rси отк = 0,05 Ом
Стойкость к воздействию спец. факторов- 2Ус
Скачать в формате PDF, (154 кБ)
Максимальные параметры
|
Обознач. |
Наименование параметра |
Значение |
Ед. изм. |
|
Uси макс |
Макс. напряжение сток-исток |
200 |
В |
|
Uзи макс |
Макс. напряжение затвор-исток |
±25 |
В |
|
Iс макс |
Макс. ток стока |
40 |
А |
|
Iс и макс |
Макс. импульсный ток стока |
120 |
А |
|
Pмакс |
Макс. допуст. пост. мощность |
125 |
Вт |
|
Тпер макс |
Макс. допуст. температура перехода |
150 |
ºС |
|
Траб корп |
Рабочая температура корпуса |
- 60 до 125 |
ºС |
Электрические характеристики при Tпер = 25 ºС
|
Обозн. |
Название параметры |
Значение параметра |
Един. измер. |
Режим измерения | ||
|
Не менее |
Тип. |
Не более | ||||
|
Ic нач |
Начальный ток стока |
|
|
0,5 |
мА |
Uси = 200 Uзи = 0 В |
|
Iз ут |
Ток утечки затвора |
|
|
100 |
нА |
Uзи = ±20 В |
|
Rси отк |
Сопротивление сток-исток в откр. состоянии |
|
|
0,05 |
Ом |
Uзи = 15 В, Ic = 20 А |
|
Uпор |
Пороговое напряжение |
2,0 |
|
4,0 |
В |
Uзи = Uси = 10 В, Iс = 10 мА |
|
S |
Крутизна |
|
17 |
|
|
Uси ≥ 15 В, Iс = 20 А |
|
Qз |
|
|
246 |
|
нКл |
U си = 100 В, Ic = 20А
|
|
Qзи |
|
|
75 |
|
нКл | |
|
Qзс |
|
|
126 |
|
нКл | |
|
tз вкл |
|
|
40 |
|
нс |
U си = 100 В, I c = 20 А,
|
|
tнар |
|
|
40 |
|
нс | |
|
tз выкл |
|
|
132 |
|
нс | |
|
tсп |
|
|
36 |
|
нс | |
|
Rз |
Вход. сопротив. затвора |
|
1 |
|
Ом |
|
|
Cвх |
Входная емкость |
|
11000 |
|
пФ |
U си = 25В, U зи = 0 В
|
|
Cвых |
Выходная емкость |
|
1200 |
|
пФ | |
|
Cпрох |
Проходная емкость |
|
200 |
|
пФ | |
Электрические параметры встроенного диода
|
Обозн. |
Название параметры |
Значение параметра |
Един. измер. |
Режим измерения | ||
|
Не менее |
Тип. |
Не более | ||||
|
Iд. |
Прям. ток диода |
|
40 |
|
А |
|
|
Uпр д |
Прям. напряжение диода |
|
0,95 |
|
В |
Ic = 20 А |
|
tобр вос |
|
|
249 |
|
нс |
dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А |
|
Qобр вос |
|
|
0,132 |
|
мкКл |
dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А |
Рисунок 1 - Зависимость заряда затвора Qз от напряжения затвора Uз для транзистора типа 2П829И9 | 
Рисунок 4 - Зависимость нормализованного сопротивления сток-исток в открытом состоянии Rси.отк. от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829И9 | |
Рисунок 2 - Зависимость тока стока IС от напряжения сток-исток UСИ транзисторов 2П829И9 | 
Рисунок 5 - Зависимость нормализованного напряжения сток-исток Uси от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829И9 | |
Рисунок 3 - Зависимость тока стока Iс от напряжения затвор-исток Uзи транзисторов 2П829И9 | 
Рисунок 6 − Зависимости входной (С11), выходной (С22) и проходной (С12) емкостей от напряжения сток-исток при температуре корпуса (25±10) ºС транзисторов 2П829И9 |
Рисунок 7– Зависимость теплового сопротивления переход-корпус RТП-К от длительности импульса tИ и скважности импульса
транзисторов 2П829И9
Габариты корпуса КТ-94-2
| Обозначение выводов | Назначение выводов |
| 1 | Сток |
| 2 | Исток |
| 3 | Затвор |