Корпус КТ-106-1

Мощный высоковольтный МДП транзистор в корпусе для поверхностного монтажа 2П829В9

Вернуться к списку продукции


Uси макс = 600 В
Ic макс = 20 А
Rси отк = 0,15 Ом

Стойкость к воздействию спец. факторов- 2Ус

pdfСкачать в формате PDF, (153 кБ)

Максимальные параметры

Обознач.

Наименование параметра

Значение

Ед. изм.

Uси макс

Макс. напряжение сток-исток

600

В

Uзи макс

Макс. напряжение затвор-исток

±25

В

Iс макс

Макс. ток стока

20

А

Iс и макс

Макс. импульсный ток стока

60

А

Pмакс

Макс. допуст. пост. мощность

200

Вт

Тпер макс

Макс. допуст. температура перех.

150

ºС

Траб корп

Рабочая температура корпуса

- 60 до 125

ºС


Электрические характеристики при Tпер = 25 ºС

Обозн.

Название параметры

Значение параметра

Един. измер.

Режим измерения

Не менее

Тип.

Не более

Ic нач

Начальный ток стока



1

мА

Uси = 600 Uзи = 0 В

Iз ут

Ток утечки затвора



100

нА

Uзи = ±20 В

Rси отк

Сопротивление сток-исток в откр. состоянии



0,15

Ом

Uзи = 15 В, Ic = 10 А

Uпор

Пороговое напряжение

2,0


4,0

В

Uзи = Uси = 10 В, Iс = 10 мА

S

Крутизна


15



Uси ≥ 15 В, Iс = 10 А



247


нКл

U си = 300 В, Ic = 10А
U зи = 13 В

Qзи



62


нКл

Qзс



98


нКл

tз вкл



60


нс

U си = 300 В, I c = 10 А,
U зи = 10 В, R з = 2 Ом

tнар



44


нс

tз выкл



220


нс

tсп



48


нс

Вход. сопротив. затвора


1


Ом


Cвх

Входная емкость


9200


пФ

U си = 25В, U зи = 0 В
f = 1МГц

Cвых

Выходная емкость


1100


пФ

Cпрох

Проходная емкость


350


пФ



Электрические параметры встроенного диода

Обозн.

Название параметры

Значение параметра

Един. измер.

Режим измерения

Не менее

Тип.

Не более

Прям. ток диода


20


А


Uпр д

Прям. напряжение диода


0,8


В

Ic = 10 А

tобр вос



304


нс

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А

Qобр вос



0,143


мкКл

dI/dt = 1А/мкс, I д = 1А


Рисунок 1 - Зависимость заряда затвора Qз от напряжения затвора Uз для транзистора типа 2П829В9

Рисунок 4 - Зависимость нормализованного сопротивления сток-исток в открытом состоянии Rси.отк. от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829В9

Рисунок 2 - Зависимость тока стока IС от напряжения сток-исток UСИ транзисторов 2П829В9

Рисунок 5 - Зависимость нормализованного напряжения сток-исток Uси от температуры корпуса Ткорп. транзисторов 2П829В9

Рисунок 3 - Зависимость тока стока Iс от напряжения затвор-исток Uзи транзисторов 2П829В9

Рисунок 6 − Зависимости входной (С11), выходной (С22) и проходной (С12) емкостей от напряжения сток-исток при температуре корпуса (25±10) ºС транзисторов 2П829В9


Рисунок 7– Зависимость теплового сопротивления переход-корпус RТП-К от длительности импульса tИ и скважности импульса транзисторов 2П829В9

Габариты корпуса КТ-106-1

Обозначение выводов Назначение выводов
1 Сток
2 Исток
3 Затвор

Вернуться к списку продукции